人工晶體學(xué)報(bào)雜志基礎(chǔ)信息：

《人工晶體學(xué)報(bào)》是由中材人工晶體研究院主辦，由《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯委員會(huì)編輯，《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯部出版的國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)性期刊，是我國(guó)唯一專(zhuān)門(mén)刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物。《人工晶體學(xué)報(bào)》以“讓中國(guó)晶體走向世界讓世界關(guān)注中國(guó)晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學(xué)科的所有研究項(xiàng)目和應(yīng)用領(lǐng)域，成為世界了解我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口。《人工晶體學(xué)報(bào)》以論文和簡(jiǎn)報(bào)等形式及時(shí)報(bào)道我國(guó)在晶體材料、半導(dǎo)體材料、光電子材料、新能源材料（太陽(yáng)能電池材料、鋰離子電池材料、固體氧化物燃料電池材料）、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)及會(huì)展信息。刊戶覆蓋以上各行業(yè)的大專(zhuān)院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位和省（市）圖書(shū)館、政府相關(guān)部門(mén)，該刊已在美、日、英、俄、德等國(guó)家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報(bào)編委會(huì)由全國(guó)30多位知名院士、教授和專(zhuān)家組成，負(fù)責(zé)確定《學(xué)報(bào)》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。

人工晶體學(xué)報(bào)雜志收錄情況：

《人工晶體學(xué)報(bào)》為美國(guó)《工程索引》（EI）收錄源期刊；此外，早已收錄《學(xué)報(bào)》的其它國(guó)際著名檢索系統(tǒng)有：美國(guó)《化學(xué)文摘》（CA），英國(guó)《科學(xué)文摘》（INSPEC），日本《科技文獻(xiàn)速報(bào)》（JICST），俄羅斯《文摘雜志》（AJ）。在國(guó)內(nèi)，《人工晶體學(xué)報(bào)》為"中文核心期刊"；已被《中國(guó)科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)》收錄，全文內(nèi)容在"萬(wàn)方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng)；被《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊（光盤(pán)版）》全文收錄；是《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)》來(lái)源期刊；《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國(guó)優(yōu)秀科技期刊”獎(jiǎng),并多次榮獲部級(jí)“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎(jiǎng)勵(lì)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，目前《人工晶體學(xué)報(bào)》日益受到國(guó)內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國(guó)、俄羅斯、日本、捷克等國(guó)外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國(guó)外有關(guān)公司已通過(guò)《學(xué)報(bào)》所展示的信息與國(guó)內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿，主推高學(xué)術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

人工晶體學(xué)報(bào)雜志獲獎(jiǎng)情況：

獲獎(jiǎng)情況：1997年獲全國(guó)第二屆優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)，1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎(jiǎng)，1989年獲優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)，中文核心期刊(2008)，中文核心期刊(2004)，中文核心期刊(2000)，中文核心期刊(1996)，中科雙效期刊，Caj-cd規(guī)范獲獎(jiǎng)期刊。

人工晶體學(xué)報(bào)雜志訂閱方式：

《人工晶體學(xué)報(bào)》創(chuàng)刊于1972年6月，英文刊名：JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS,該刊登記注冊(cè)的國(guó)際、國(guó)內(nèi)刊號(hào)為：ISSN1000-985X,CN1-2637/O7，CODENRJXUEN。地址：北京朝陽(yáng)區(qū)紅松園1號(hào)中材人工晶體研究院，北京733信箱，郵政編碼：100018。現(xiàn)為雙月刊。

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3、圖（含照片）、表和公式應(yīng)通篇分別編號(hào)，圖題、表題應(yīng)有中英文對(duì)照。表格應(yīng)采用三線表形式，內(nèi)容以英文表述。曲線圖應(yīng)直觀、簡(jiǎn)潔，圖中文字用英文、量的名稱及符號(hào)、坐標(biāo)要準(zhǔn)確、清晰（物理量符號(hào)用斜體，單位用正體）并與文中一致，曲線圖的尺寸（高*寬）以100×130mm為宜，為方便修改，文中曲線圖應(yīng)采用計(jì)算機(jī)繪圖，最好用Origin格式插入，字體采用Arial，4號(hào)字（24磅），激光打印機(jī)打印。照片要求黑白分明，層次清晰。

4、參考文獻(xiàn)書(shū)寫(xiě)格式請(qǐng)參考以下《人工晶體學(xué)報(bào)》參考文獻(xiàn)書(shū)寫(xiě)規(guī)范。

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人工晶體學(xué)報(bào)雜志社編輯部征稿AgGa1-xInxSe2晶體熱處理研究太赫茲聲子極化激元在LiNbO_3微結(jié)構(gòu)中的衍射和干涉動(dòng)態(tài)過(guò)程的時(shí)間分辨成像不同溫度下碲銦汞晶體結(jié)構(gòu)的XRD研究坩堝下降法生長(zhǎng)弛豫鐵電晶體PIMNT的單晶性表征大尺寸KDP晶體切削開(kāi)裂效應(yīng)數(shù)值模擬分析研究銅單晶的定向方法研究弛豫鐵電晶體PZNT(001)晶面的腐蝕行為福建物構(gòu)所中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)取得突破輝光功率對(duì)n型a-Si:H薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響鎢酸鉛閃爍晶體垂直梯度凝固法生長(zhǎng)及光學(xué)性能研究溫度梯度法BaY_2F_8晶體生長(zhǎng)中的小面研究SiO_2氣凝膠小球熱處理過(guò)程中的相變研究籽晶垂直布里奇曼法生長(zhǎng)大尺寸CdZnTe單晶體ZnWO_4單晶襯底上ZnO薄膜的晶核發(fā)育與形貌分析二維聲子晶體異質(zhì)線缺陷的聲波導(dǎo)特性Ti-Al-Nb_2O_5系原位合成Al_2O_3晶須的形成機(jī)理分析采用DCArcPlasmaJetCVD方法沉積微/納米復(fù)合自支撐金剛石膜采用兩步壓強(qiáng)法制備優(yōu)質(zhì)微晶硅薄膜pH值對(duì)KDP晶體溶解度和溶液穩(wěn)定性的影響中紅外激光晶體Er∶KPb_2Cl_5的原料制備和晶體生長(zhǎng)納米軟磁粉體燒結(jié)過(guò)程中的晶粒生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究進(jìn)展非配位性溶劑中CdS納米顆粒的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)及其機(jī)理研究甲酸根離子摻雜的鹵化銀中空穴陷阱效應(yīng)分析